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» 型號"BFP 740FESD E6327"的供應信息
BFP 740FESD E6327 全國供應商、價格、PDF資料
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BFP 740FESD E6327詳細規(guī)格
類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS RF NPN 47GHZ 4.7V TSFP4
系列:-
制造商:Infineon Technologies
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V
頻率_轉換:47GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益:9dB ~ 31dB
功率_最大:160mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 25mA,3V
電流_集電極333Ic444(最大):45mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:4-TSFP
包裝:剪切帶 (CT)
BFP 740FESD E6327詳細規(guī)格
類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS RF NPN 47GHZ 4.7V TSFP4
系列:-
制造商:Infineon Technologies
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V
頻率_轉換:47GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益:9dB ~ 31dB
功率_最大:160mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 25mA,3V
電流_集電極333Ic444(最大):45mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:4-TSFP
包裝:帶卷 (TR)
BFP 740FESD E6327詳細規(guī)格
類別:RF 晶體管 (BJT)
描述:TRANS RF NPN 47GHZ 4.7V TSFP4
系列:-
制造商:Infineon Technologies
晶體管類型:NPN
電壓_集電極發(fā)射極擊穿(最大):4.7V
頻率_轉換:47GHz
噪聲系數(dB典型值0a0頻率):0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz
增益:9dB ~ 31dB
功率_最大:160mW
在某IceeeVce時的最小直流電流增益333hFE444:160 @ 25mA,3V
電流_集電極333Ic444(最大):45mA
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-SMD,扁平引線
供應商設備封裝:4-TSFP
包裝:Digi-Reel®
BFP 740FESD E6327供應商
BFP 740FESD E6327
江蘇芯鉆時代電子科技有限公司
18913062888
BFP 740FESD E6327
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
BFP 740FESD E6327
北京顯周科技有限公司
13910052844(微
BFP 740FESD E6327
深圳市諾洋電子科技有限公司
0755-83223003
BFP 740FESD E6327
深圳市芯澤盛世科技有限公司
0755-89697985
BFP 740FESD E6327
北京首天偉業(yè)科技有限公司
010-62104931、
BFP 740FESD E6327
深圳市科雨電子有限公司
133-5299-5145
查看更多BFP 740FESD E6327的供應商
BFP 740ESD H6327
RF 晶體管 (BJT) Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V SOT343
BR24L16FJ-WE2
存儲器 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8SOP
BFP 196W E6327
RF 晶體管 (BJT) Infineon Technologies SC-82A,SOT-343 TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343
C1812F104K5RACTU
陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 1812
C0603X5R0J683K
陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 0.068UF 6.3V X5R 0201
C0603C154K8RACTU
陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.15UF 10V 10% X7R 0603
C0805C272K5RACTU
陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 2700PF 50V 10% X7R 0805
BMI-S-105
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 0805(2012 公制) BOARD SHIELD 1.0X1.5" 1PIECE
BR24L16FVJ-WE2
存儲器 Rohm Semiconductor 8-VSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 寬) IC EEPROM 16KBIT 100KHZ TSSOPB8J
C0603C154Z3VACTU
陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.15UF 25V Y5V 0603
C1812F104M1RACTU
陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 0.1UF 100V 20% X7R 1812
C0603X5R0J683K
陶瓷 TDK Corporation 0201(0603 公制) CAP CER 0.068UF 6.3V X5R 0201
C0805C272M5RACTU
陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 2700PF 50V 20% X7R 0805
BMI-S-107
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 0805(2012 公制) BOARD SHIELD 1.747X1.747" 1PIECE
BR24S08FJ-WE2
存儲器 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC EEPROM 8KBIT 400KHZ 8SOP
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